上海半导体展会|2024汽车半导体展会|2024汽车功率半导体
2024第十二届上海国际新能源汽车半导体展览会8月热力来袭
时间：2024年8月2-4日
地点：上海新国际博览中心
★展会介绍：
当前，全球新一轮科技和产业变革蓬勃发展，汽车与能源、交通、信息通信等领域有关技术加速融合，电动化、网联化、智能化成为汽车产业的发展潮流和趋势。新能源汽车是全球汽车产业转型升级、绿色发展的主要方向，也是我国新能源汽车产业高质量发展的战略选择。
在新能源汽车电动化的过程中，功率半导体器件被广泛应用于电动机驱动、汽车充电桩、车载充电器等领域。其中，IGBT是常用的功率半导体器件之一，可以实现高压、大电流的开关控制。IGBT可与MOSFET相结合形成无感应无级变速器，提高了汽车的能效。
上海国际新能源汽车功率半导体展览会将于2024年8月2-4日在上海新国际博览中心举行。作为（2024上海国际新能源汽车技术与生态链博览会）主题展之一，以全新的理念为广大中外参展商提供一个“高水准、高品味、高质量”的新能源汽车功率半导体国际商贸平台。将集中展示我国新能源汽车功率半导体领域的新产品和技术，包括车用基础半导体器件、车用硅基功率器件、第三代半导体（SiC/GaN）器件、生产设备、封装测试等，积极将本届展会打造成集政府 、园区与企业形象展示，装备展示与采购，技术研讨，新品发布，产业对接，以及贸易洽谈为一体的大型交流平台。
中国新能源汽车充电桩行业受到各级政府的高度重视和国家产业政策的重点支持。国家陆续出台了多项政策，鼓励新能源充电桩行业发展与创新，《国家发展改革委等部门关于进一 步提升电动汽车 充电基础设施服务保障能力的实施意见》《关于印发扎实稳住经济一揽子政策措施的通知》《2030年前碳达峰行动方案》 等产业政策为新能源充电桩行业的发展提供了明确、广阔的市场前景。
★同期举办：
2024第八届上海国际汽车创新技术周
2024第十八届上海国际汽车内饰与外饰展览会
2024第十二届上海国际充电桩及换电技术展览会
2024第十二届上海国际新能源汽车技术与生态链博览会
★ 展会影响力
NEAS CHINA 2024展会总规模及影响力：
展览总面积预计70,000+平方米
参展品牌预计超过1200+
专业观众预计超过80,000+
全球20多个国家和地区近300家行业合作媒体全力推广报道，尊享品牌展会国际影响力
获得众多国内外行业组织及协会全程协助展会筹办并提供独到见解
★展品范围：
基础半导体器件：双极晶体管、二极管、晶闸管、整流管、TVS、ESD保护器、车用硅基功率器（MOSFET/IGBT和Schottky-二极管）等；
第三代半导体：第三代半导体碳化硅SiC、氮化镓GaN、晶圆、衬底、封装、测试、光电子器件、(发光二极管LED、激光器LD、探测器紫外)、电力电子器件 (二极管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射频器件(HEMT、MMIC)等；
半导体材料：硅片及硅基材料、硅晶圆、硅晶片、单晶硅、硅片、锗硅材料、S01材料、太阳能电池用硅材料及化合物半导体材料、石英制品、石墨制品、防静电材料、光刻胶及其配套试剂、晶圆胶带、光掩膜版、电子气体、特种化学气体、CMP抛光材料、封装基板、引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片粘合材料、光阻材料、湿电子化学品、溅射靶材、封测材料、切片、磨片、抛光片、薄膜等；
封装与测试：测试探针台、探针卡、测试机、分选机、封装设备、封装基板、引线框架键合丝、引线键合、烧焊测试、自动化测试、激光切割及其它、研磨液、划片液、封片膜（胶)高温胶带、层压基板、贴片胶、上料板、焊线流量控制、石英石墨、碳化硅等；
半导体设备制造：封装设备、扩散设备、焊接设备、清洗设备、测试设备、制冷设备、氧化设备、减薄机、划片机、贴片机、单晶炉、氧化炉、研磨机、热处理设备、光刻机、刻蚀机、抛光机、倒角机、离子注入设备、CVD/PVD设备、涂胶/显影机、前道测试设备、湿制程设备、热加工、涂布设备、单晶片沉积系统、固晶机、等离子清洗设备、切割机、装片机、键合机、焊线机、塑封机、回流焊、波峰焊、测试机、打弯设备、分选机、机器人自动化、机器视觉、-材料和电子专用设备、耦合机、载带成型机、检测设备、恒温恒湿试验箱、传感器、封装模具、测试治具、精密滑台、步进电机、阀门、探针台、洁净室设备、水处理等；
-相关配套：设计开发、散热管理、可靠性测试及认证、信息服务等。
★目标观众：
专业观众来自于新能源汽车主机厂、电机驱动系统、车载OBC、车载DC/DC、充电桩、半导体厂家等术等从事相关工作的技术人员和管理人员前来参观、洽谈合作，期待与您在现场相聚。
★参展报名事宜：
联系人：蔡先生 13761671168（同微信）
E-mail：gtzlyyexpo@vip.163.com
网 址：www.hfcv-expo.com
